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Spinner 磁控溅射源

Spinner 磁控溅射源采用旋转磁场系统,适用于对薄膜均匀性和沉积速率有严格要求的薄膜沉积工艺。 磁场系统的旋转使溅射区域在靶材表面分布更加均匀,并扩大侵蚀区域,从而提高靶材利用率,增强薄膜沉积过程的稳定性。旋转磁场系统还可在保持沉积均匀性的同时缩短靶材与基片之间的距离,提高溅射材料的利用效率。 Spinner 适用于直径为 202 ± 1 mm 的靶材,主要面向微电子领域,以及对薄膜均匀性有较高要求的科研和工艺过程。

技术参数

靶材直径202 ± 1 mm
磁场系统转速5–300 rpm
冷却间接冷却
气体导入无气体导入
安装法兰ISO 320
电源模式DC pulse, DC, HiPIMS, RF
真空规格UHV